近日，SiC功率器件相關擴產項目迎來一波小高潮，多家廠商密集發布新進展，其中包括士蘭微8英寸SiC功率器件生產線項目、安建功率半導體模塊封裝項目、智新半導體800V SiC模塊產線。
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士蘭微8英寸SiC功率器件項目落地廈門
5月21日，士蘭微與廈門市人民政府、廈門市海滄區人民政府在廈門市簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目戰略合作框架協議》（以下簡稱協議協議）。
根據協議，各方合作在廈門市海滄區投資建設一條以SiC MOSEFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線。該項目分兩期建設，項目一期投資規模約70億元，規劃產能3.5萬片/月，二期投資規模約50億元，規劃產能2.5萬片/月，兩期建設完成后，將形成8英寸SiC功率器件芯片年產72萬片的生產能力。
為主導項目實施，士蘭微已于2024年3月6日在廈門市海滄區先行設立了項目公司廈門士蘭集宏半導體有限公司（以下簡稱士蘭集宏），士蘭集宏注冊資本為0.6億元，全部由士蘭微出資。
為推進項目實施，士蘭微擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業有限公司共同向子公司士蘭集宏增資41.5億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協議》。
士蘭集宏本次新增注冊資本41.5億元，由士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業有限公司以貨幣方式共同認繳，其中：士蘭微認繳10億元，廈門半導體投資集團有限公司認繳10億元，廈門新翼科技實業有限公司認繳21.50億元。本次增資完成后，士蘭集宏的注冊資本將由0.6億元增加至42.1億元。
士蘭微表示，如本次投資事項順利實施，將為士蘭集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目”的建設和運營提供資金保障，有利于加快實現士蘭微SiC功率器件的產業化，完善其在車規級高端功率半導體領域的戰略布局，增強核心競爭力。
安建功率半導體模塊封裝項目簽約浙江海寧
5月20日，2024年二季度海寧經濟開發區、海昌街道項目集中簽約儀式在浙江海寧(中國)泛半導體產業園服務中心舉行，寧波安建半導體有限公司（以下簡稱安建半導體）功率半導體模塊封裝項目簽約落地海寧經開區，總投資1億元。
作為一家功率半導體元器件產品設計、研發及銷售公司，安建半導體現有低電壓的SGT MOSFET（分裂柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ MOSFET（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產品線。其高電壓產品主要應用于高鐵、電動汽車、新能源、工業控制等領域；低電壓產品主要應用于5G基站、電能轉換、綠色家電、消費電子等領域。
在第三代半導體領域，安建半導體目前已推出具有完全自主產權的1200V 17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設SiC模塊封裝產線和開發新一代GaN技術和產品。
在SiC業務方面，安建半導體在去年12月與積塔半導體就加速完成安建在積塔代工的平面型SiC MOSFET器件開發，并攜手邁進新一代溝槽型SiC MOSFET器件開發達成合作。
智新半導體800V SiC模塊產線預計7月批量投產
5月20日，據湖北日報消息，智新半導體第二條生產線兼容生產400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，預計7月份批量投產，10月份大批量投用。
據悉，為加速車規級功率半導體模塊國產替代，東風公司在2019年6月與中國中車成立智新半導體，開始自主研發生產車規級IGBT模塊。
2021年7月，智新半導體以先進的第6代IGBT芯片技術為基礎的生產線啟動量產，華中地區首批自主生產的車規級IGBT模塊產品正式下線。一期產能30萬只，主要生產400V硅基IGBT模塊。
而在今年4月，智新半導體第二條生產線啟用，規劃產能40萬只，兼容生產400V硅基IGBT模塊和800V SiC模塊，產線國產化率達到70%。
智新半導體表示，其800V SiC模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術，可將能量轉化效率提高3%，與同樣性能的國外產品相比，該模塊成本降低了30%。（集邦化合物半導體Zac整理）
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