6月26日，據建湖發布官微消息，江蘇省鹽城市建湖縣舉行重大產業項目推進暨北一半導體功率器件項目開工活動。
source：建湖發布
據悉，北一第三代半導體功率器件項目總投資10億元，分兩期實施。項目全部投產后，可年產半導體器件125萬件，年可實現開票銷售15億元，稅收1.2億元。
官微資料顯示，北一半導體成立于2017年，總部位于深圳市，生產基地位于黑龍江省穆棱市，是一家專注于Si基、SiC基功率半導體芯片及模塊研發、模塊生產、銷售的廠商。北一半導體目前在研產品包括精細溝槽柵IGBT芯片、溝槽柵SiC?MOSFET芯片、雙面散熱模塊等，產品廣泛應用于工業變頻、感應加熱、新能源汽車、風電及光伏領域。
SiC業務方面，2018年，北一半導體成立SiC芯片開發項目組，進行SiC二極管及MOSFET芯片調研規劃；2019年，其1200V 20A SiC JBS二極管產出，可靠性通過工業級考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二極管及MOSFET分立器件在電源領域獲得批量訂單；2022年，北一半導體完成1200V等級SiC MPS芯片開發，浪涌電流達到12倍額定電流，新能源汽車用750V、1200V等級IGBT及SiC模塊獲小批量訂單；2023年，北一半導體完成650V及1200V溝槽柵SiC MOSFET芯片設計。
項目方面，2023年1月，北一半導體新建二期廠房正式全面投入使用。二期占地面積超過12500平米，產能進一步擴大，能夠滿足HPD模塊、IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、SiC模塊大量生產條件。
隨著北一半導體本次開工的新項目建成達產，其SiC功率器件產能有望再上一個臺階（集邦化合物半導體Zac整理）
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