6月28日，據蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱鎵仁半導體）近日與蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱邁姆思）于杭州簽訂戰略合作協議。雙方將在先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領域展開深度合作。
圖片來源：拍信網正版圖庫
據悉，邁姆思將與鎵仁半導體協作實現SiC和氧化鎵的鍵合，用SiC出色的散熱性能來彌補氧化鎵散熱性能的不足，同時通過氧化鎵和硅的鍵合，大幅度降低成本，推動氧化鎵作為功率器件的量產化。
據了解，本次合作是將第三代半導體材料與第四代半導體材料進行融合研發的戰略合作。
官網資料顯示，鎵仁半導體成立于2022年9月，是一家專注于超寬禁帶半導體材料氧化鎵研發、生產和銷售的廠商。
技術研發方面，鎵仁半導體開創了氧化鎵單晶生長新技術，擁有國際、國內發明專利十余項，突破了美國、德國、日本等西方國家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。
產品方面，鎵仁半導體產品包括不同尺寸、晶向和電阻率的氧化鎵拋光片，可定制的氧化鎵籽晶等，主要應用于面向國家電網、新能源汽車、軌道交通、5G通信等領域的電力電子器件。目前，鎵仁半導體已掌握從設備開發、熱場設計、晶體生長、晶體加工等全鏈條的核心技術，可提供完全具有自主知識產權的氧化鎵襯底。
今年4月9日，鎵仁半導體宣布正式推出2英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底。鎵仁半導體指出，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現：（010）襯底熱導率較高，有利于提升功率器件性能；（010）襯底還具有較快的外延生長速率。
邁姆思則于2022年在蘇州工業園區建立公司總部作為生產中心，用于大規模量產SOI晶圓和開發新的晶圓材料。邁姆思在國外已經研究開發SOI晶圓材料超過15年，并在技術上取得了實質性進展，填補了國內在SOI加工領域高級工藝技術的空白。（集邦化合物半導體Zac整理）
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