富加鎵業6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

作者 | 發布日期 2024 年 09 月 13 日 18:00 | 分類 企業

氧化鎵憑借其性能與成本優勢,有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料,近年來熱度不斷上漲,頻頻傳出各類利好消息。

9月12日,據杭州富加鎵業科技有限公司(以下簡稱:富加鎵業)官微消息,富加鎵業6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設。

圖片來源:拍信網正版圖庫

資料顯示,富加鎵業成立于2019年12月,致力于超寬禁帶半導體氧化鎵材料的產業化工作,主要從事氧化鎵單晶材料生長、氧化鎵襯底及外延片研發、生產和銷售工作,產品主要應用于功率器件、微波射頻及光電探測等領域。

據稱,富加鎵業是國內目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司,開工建設的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。

據富加鎵業介紹,氧化鎵單晶可以通過熔體法生長,從而在制備成本、單晶質量、缺陷或尺寸等方面相對于寬禁帶半導體碳化硅、氮化鎵材料及超寬禁帶半導體氮化鋁、金剛石材料有明顯優勢。

此外,氧化鎵材料的熱處理溫度及硬度均與單晶硅較為接近,從單晶硅器件線轉為氧化鎵器件線僅僅需要更換5%設備,相比而言,碳化硅材料硬度較大,且熱處理溫度較高,從單晶硅器件線轉為碳化硅器件線,需要更換25%設備。

富加鎵業表示,現存單晶硅的器件線以6英寸及8英寸為主,氧化鎵單晶材料及外延片需要跨過6英寸門檻后才能進入產業化快車道?,F階段,富加鎵業已經實現了6英寸導電型及絕緣型氧化鎵單晶襯底的制備,單晶外延技術也取得重要進展,已達到6英寸硅基器件線產業化門檻。

據集邦化合物半導體了解,包括富加鎵業在內的國內廠商和研究機構正在加速布局氧化鎵產業,并取得了一系列成果。

去年2月,中國電科46所成功制備出6英寸氧化鎵單晶,技術達到了國際一流水平。

同年10月,北京鎵和半導體有限公司實現了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破,推出多規格氧化鎵單晶襯底并首發4英寸(100)面單晶襯底參數。

而在今年2月,鎵仁半導體聯合浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室,采用自主開創的鑄造法成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。在此基礎上,鎵仁半導體于今年7月制備出了3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底。(集邦化合物半導體Zac整理)

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