10月17日，據無錫市新吳區官網消息，位于無錫市高新區（新吳區）的新潔能總部基地及產業化項目即將竣工投產。
圖片來源：拍信網正版圖庫
據悉，新潔能總部基地及產業化項目總投資13.5億元，用地面積約3.17萬平方米，建筑面積約5.4-5.7萬平方米，該項目于2023年1月開工建設，預計2024年底竣工投用。
該項目建成投產后，預計年產碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬只；年產14.52億只IC及智能功率模塊（IPM）等功率集成模塊；年產362.6萬只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規級）。預計達產后可實現年產值16.66億元。
官網資料顯示，新潔能成立于2013年1月，擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導體、國硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。新潔能專注于MOSFET、IGBT等半導體芯片和功率器件的研發、設計及銷售，產品廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領域。
產品方面，新潔能構建了IGBT、屏蔽柵MOSFET（SGT MOSFET）、超結MOSFET（SJ MOSFET）、溝槽型MOSFET（Trench MOSFET）四大產品工藝平臺，并已陸續推出車規級功率器件、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模塊、柵極驅動IC、電源管理IC等產品，電壓覆蓋12V-1700V全系列。
目前，新潔能的SiC MOSFET部分產品已通過客戶驗證并實現小規模銷售，GaN HEMT部分產品已開發完成并通過可靠性測試。
具體來看，新潔能已開發完成1200V 23mohm-75moh和750V 26mohm SiC MOSFET系列產品，新增產品6款，相關產品處于小規模銷售階段；650V/190mohm E-Mode GaN HEMT產品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT已開發完成，新增產品2款，100V/200V GaN產品正在開發中。
業績方面，2024年上半年，新潔能實現營收8.73億元，同比增長15.16%；歸母凈利潤2.18億元，同比增長47.45%；歸母扣非凈利潤2.14億元，同比增長55.21%。（集邦化合物半導體Zac整理）
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