11月8日，據國星光電官微消息，國星光電子公司風華芯電近日開發出基于扇出面板級封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。據介紹，該模塊相對于傳統鍵合線框架封裝，模塊體積減少超67％，電路板布板面積降低30%。
source：國星光電
該模塊采用風華芯電自主研發的扇出面板級封裝形式，其通過銅球鍵合工藝實現氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸點結構，借助再布線層（RDL）的鍍銅工藝實現互連，達到4個功率管有效互連效果，并形成半橋拓撲結構，實現模塊內部結構的高密度集成，減少產品體積，提升性能。
為了驗證模塊的性能，風華芯電將基于扇出面板級封裝的氮化鎵半橋模塊應用于100W開關電源中，該開關電源整體尺寸為60×50×27mm，體積有效減少，且電源峰值效率可達到95%。此外，該模塊與常規分立封裝產品對比，開通速度提升17.59%，開通損耗下降10.7%。
據悉，半導體封裝技術可分為基板型封裝和晶圓級封裝，基板型封裝里面產品有IC、MOS、功率器件等封裝類型，國星光電子公司風華芯電業務涉及基板型封裝的功率器件，已具備第三代半導體功率器件的封裝量產能力。
在第三代半導體領域，國星光電已完成氮化鎵基功率器件外延片的產品開發；正在發力第三代半導體封測技術，推出了低雜感碳化硅封裝系列產品、集成化GaN-IC產品，其中SiC-SBD產品已獲AEC-Q101車規級認證，碳化硅器件T0-247—2L通過了工藝驗證，具備量產能力。
根據TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元（約19.45億人民幣），至2030年有望上升至43.76億美元（約314.13億人民幣），CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。（來源：國星光電，集邦化合物半導體整理）
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