55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批

作者 | 發布日期 2022 年 12 月 19 日 17:24 | 分類 氮化鎵GaN

近日,國家科技部公布了2022年國家重點研發計劃立項資助名單。55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批。

“寬帶射頻功率放大器”項目基于第三代半導體GaN開展超寬帶射頻功率管的設計與制造研究,計劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器,實現寬帶射頻功放在超高場磁共振的工程應用,為提升我國科學儀器自主創新能力和裝備水平提供強力支撐。

國家重點研發計劃項目是針對事關國計民生的重大社會公益性研究,以及事關產業核心競爭力、整體自主創新能力和國家安全的戰略性、基礎性、前瞻性重大科學問題、重大共性關鍵技術和產品,為國民經濟和社會發展主要領域提供持續性的支撐和引領。

圖片來源:拍信網正版圖庫

此次55所牽頭承擔國家重點研發計劃項目,進一步體現了在第三代半導體領域的優勢地位。后續,項目團隊將堅持“四個面向”,集聚力量進行原創性引領性科技攻關,持續開拓創新,突破關鍵技術,加快實現高水平科技自立自強。

值得注意的是,就在上周,中國電科48所第三代半導體裝備研發取得重大突破,牽頭申報的“大尺寸超高真空分子束外延技術與裝備”項目,獲得國家科技部“高性能制造技術與重大裝備”重點專項立項。

項目將由48所聯合國內高校、研究所及專業公司協同攻關,利用48所的技術優勢,充分發揮國家第三代半導體技術創新中心(湖南)平臺作用,奮力突破一批關鍵核心技術與工藝難題,為實現我國MBE技術和裝備的跨越式發展提供有力支撐。(文:集邦化合物半導體 Cecilia整理)

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