近日,日本化工企業旭化成(Asahi Kasei)旗下的UVC LED制造商Crystal IS宣布,公司根據UVC LED的當前業務需求,將在美國批量生產4英寸單晶氮化鋁襯底,其可用面積達到99%。
據悉,氮化鋁的超寬帶隙和高導熱性有助于提高UVC LED和其他下一代RF和功率器件的可靠性和性能。
左:2024年Q1,Crystal IS的100mm氮化鋁襯底的可用面積為90%;右:2024年Q2,氮化鋁襯底其可用面積為99.3%。
Crystal IS表示,在過去九個月,公司氮化鋁大直徑襯底實現了質的提升,展示了公司團隊在晶體生長方面的豐富經驗與專業知識,氮化鋁固有的熱優勢可以使射頻和功率設備性能更高。
Crystal IS計劃在今年向主要合作伙伴供應直徑為4英寸的氮化鋁襯底,這些襯底將在其美國工廠獨家生產,Crystal IS也將繼續拓展UVC LED以外的業務。
資料顯示,Crystal IS成立于1997年,致力于開發氮化鋁襯底,其技術工藝可用于2英寸直徑襯底中生產UVC LED。這些LED具有260-270nm波長,以及高可靠性和高性能特點,可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應用。
去年8月,Crystal IS宣布生產出了首款4英寸氮化鋁襯底,展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性,能夠滿足各類應用的生產需求。(文:集邦化合物半導體)
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