文章分類： 碳化硅SiC

天岳先進+海信，掘金碳化硅家電市場

作者 | 發布日期: 2024 年 09 月 02 日 18:09 |
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| 分類: 碳化硅SiC
天岳先進與海信合作
昨日（9/1），天岳先進在官微宣布將與海信集團就SiC（碳化硅）在白色家電領域的應用展開交流，意味著雙方未來將共同加快推動SiC技術在白色家電領域的應用進程。 天岳先進介紹，公司董事長宗艷民先生率團于2024年8月30日訪問了海信集團，公司家電集團研發技術負責人與海信空調事業部負...  [詳內文]

重慶三安8英寸碳化硅襯底廠月底投產

作者 | 發布日期: 2024 年 08 月 29 日 18:05 |
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| 分類: 碳化硅SiC
據《重慶新聞聯播》報道，在西部（重慶）科學城，總投資約300億元的三安意法半導體項目進入收尾階段，其中，8英寸SiC襯底廠預計本月投產，比原計劃提前2個月。 據了解，三安意法半導體項目包含建設一座8英寸SiC晶圓（芯片）廠和配套的一座8英寸SiC襯底廠，預計總投資約300億元人民...  [詳內文]

比亞迪獨家投資、科創板IPO，碳化硅材料廠風口來了

作者 | 發布日期: 2024 年 07 月 31 日 18:37 |
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| 分類: 碳化硅SiC
近年來，SiC（碳化硅）產業在持續迎接旺盛需求的同時，也掀起了內卷大風，企業在實現收入增長與保持盈利之間的平衡上逐漸面臨挑戰。盡管如此，SiC產業鏈上仍有部分環節在短期內將繼續享受產業正面發展的紅利。在這其中，除了設備相關廠商之外，SiC上游封裝材料等細分領域也正在獲得更多的市場...  [詳內文]

SiC設備大廠愛思強收購一座生產基地

作者 | 發布日期: 2024 年 06 月 04 日 18:11 |
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| 分類: 碳化硅SiC
繼2023年在德國設立新創新研發中心之后，德國半導體沉積設備廠AIXTRON愛思強昨日（6/3）又公布了在歐洲的新動向。 愛思強收購意大利生產基地 新聞稿顯示，愛思強已收購位于意大利皮埃蒙特區都靈（Turin, in the Piedmont region of Italy）附近...  [詳內文]

降本70%，科友半導體碳化硅單晶厚度再突破

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 31 日 18:29 |
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| 分類: 碳化硅SiC
近兩年來，碳化硅（SiC）設備、材料廠商科友半導體呈現出較為快速的發展勢頭，在大尺寸SiC單晶、襯底生產與業務拓展方面持續傳來好消息。近日，該公司又公布了一項重要突破。 5月29日，科友半導體宣布，公司自主研發的電阻長晶爐成功制備出多顆中心厚度超過80mm、薄點厚度超過60mm的...  [詳內文]

TrendForce：SiC/GaN功率半導體市場格局與應用分析

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 31 日 8:54 |
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| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
經歷下行周期的半導體產業在2024年迎來較為積極的增長態勢，AI人工智能以及新能源汽車等驅動之下，半導體需求正逐步提升。 AI運行需要大量的計算資源以進行模型訓練與推理，這一過程中要用到高性能計算芯片包括GPU、ASIC、FPGA等，還有HBM等存儲器芯片。 另外，為滿足更高階的...  [詳內文]

8英寸企業集結，國家標準《碳化硅外延片》半年后實施

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 15 日 17:52 |
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| 分類: 碳化硅SiC
根據全國標準信息公共服務平臺官網消息，國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》已于2024年4月25日正式對外發布，并將于2024年11月1日開始實施。 該標準的起草單位囊括了業內多家具備8英寸碳化硅技術的企業，包括天岳先進、爍科晶體、天科合達、科友半導體、乾晶半導...  [詳內文]

Wolfspeed采購愛思強多臺8英寸碳化硅設備

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 22 日 18:13 |
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| 分類: 碳化硅SiC
4月18日，愛思強發布新聞稿表示，Wolfspeed在2023年Q3-Q4期間與其簽訂了多個SiC設備設備訂單。 據其介紹，愛思強G10-SiC設備為Wolfspeed 8英寸材料工廠John Palmour碳化硅制造中心提供支持，助力Wolfspeed進一步加大、加快8英寸Si...  [詳內文]

Q4營收超2022年全年，天岳先進2023年營收大漲199.90%

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 12 日 18:18 |
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| 分類: 碳化硅SiC
4月11日，天岳先進發布2023年年度報告。報告亮點頗多，彰顯著天岳先進乃至整個碳化硅襯底行業的景氣。 單季度營收超過去一整年，下半年凈利潤轉正 年報顯示，天岳先進在2023年共實現營業收入12.51億元，較上年同期增加199.90%；實現歸屬于母公司所有者的凈利潤-4,572....  [詳內文]

青禾晶元8英寸SiC鍵合襯底技術獲突破

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 12 日 10:15 |
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| 分類: 碳化硅SiC
4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術創新，在SiC鍵合襯底的研發上取得重要進展，在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。 8英寸N型SiC復合襯底（source：青禾晶元） 青禾晶元介紹，對比6英寸SiC晶圓，8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍，芯片產出可增加80...  [詳內文]