近日，據消息，南砂晶圓完成B+輪融資，由渾璞投資領投。
廣州南砂晶圓半導體技術有限公司成立于2018年9月，是一家從事碳化硅單晶材料研發、生產和銷售三位一體的國家高新技術企業，公司產品以6英寸半絕緣和N型碳化硅襯底為主。今年2月，廣州市發改委公布了“廣州市2022年重點項目計劃”，南砂晶圓碳化硅項目就在其中。
據悉，南砂晶圓碳化硅單晶材料與晶片生產項目總投資9億元，建筑面積9萬平方米，建設一棟科研辦公樓、一棟中試廠房、三棟生產廠房，繼續擴大碳化硅晶體生長和加工規模，同時建設外延片加工生產線。
達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片，年產值將達13.5億元。
2021年9月，項目1#、2#、3#、4#廠房主體結構全面封頂。
圖片來源：拍信網正版圖庫
值得注意的是，今年9月，由徐現剛教授領銜的 山東大學晶體材料所和南砂晶圓團隊采用物理氣相傳輸法（PVT）擴徑獲得了8英寸4H-SiC籽晶，用于8英寸導電型4H-SiC晶體生長，并加工出厚度520 μm的8英寸4H-SiC襯底。
碳化硅襯底是制造碳化硅器件最基礎的材料，也是發展SiC的關鍵，沒有碳化硅襯底就無法制造出碳化硅器件。目前，以襯底和外延為主的碳化硅材料占據了整個碳化硅產業鏈近70%的價值量，其中襯底價值量占比接近50%。
目前，國內SiC 襯底主流規格分別為 4 英寸和 6 英寸，部分廠商如晶盛機電、爍科晶體、中科院物理所等已成功研發了8英寸SiC單晶。
有業內人士稱，碳化硅襯底的成本和產量將長期成為第三代半導體行業的關鍵競爭核心。（文：集邦化合物半導體 Doris整理）
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