士蘭微8英寸碳化硅功率器件項目預計明年試生產

作者 | 發布日期 2024 年 10 月 21 日 18:00 | 分類 產業

10月18日,據廈門日報消息,廈門這個8英寸碳化硅項目近日取得了新進展。

據報道,位于福建省廈門市海滄區的士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目近日進入土方工程收尾階段,一期項目預計將于2025年三季度末初步通線,四季度試生產。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據悉,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目總投資120億元,分兩期建設,其中,一期項目總投資70億元,達產后年產42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產后,將形成年產72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產能力。

從該項目推進情況來看,作為該項目實施主體士蘭集宏的母公司,士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業有限公司于2024年5月21日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目之投資合作協議》。隨后在6月18日,士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目在廈門市海滄區正式開工。

近期,除士蘭微8英寸碳化硅項目外,國內外廠商還有多個8英寸碳化硅項目披露了最新進展。

其中,北京市生態環境局于8月13日公示了天科合達第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設二期項目(以下簡稱:二期項目)環評審批。二期項目用于擴大天科合達碳化硅晶體與晶片產能,投產后將實現年產約37.1萬片導電型碳化硅襯底,其中8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。

8月底,重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點亮通線。該項目投資額為70億元,規劃年產8英寸碳化硅襯底48萬片。

9月27日,住友金屬及其全資子公司Sicoxs Coparation宣布,將在Sicoxs的Ohkuchi工廠建設一條新的8英寸SiCkrest大規模生產線,SiCkrest為直接鍵合的碳化硅襯底。

10月13日,據韓媒報道,韓國東部高科(DB HiTek)于11日宣布,其將在忠清北道Eumseong的Sangwoo園區內投資擴建半導體潔凈室,計劃先行建設8英寸碳化硅產線。

10月16日,在首屆SEMiBAY灣芯展開幕式上,方正微電子發布了車規/工規碳化硅MOSFET 1200V全系產品,還表示其8英寸碳化硅產線將于2024年年底通線。(集邦化合物半導體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。