11月3日，近日，據印度經濟時報消息，一家源自印度科學研究所（Indian Institute of Science）的氮化鎵半導體初創公司Agnit已經完成350萬美元（約2490萬人民幣）的種子輪融資，由3one4 Capital、Zephyr Peacock領投。
據悉，Agnit本輪融資資金將用于提升4英寸GaN-on-SiC（碳化硅基氮化鎵）外延片的生產質量，滿足射頻器件的需求，同時提高6英寸GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）晶圓的生產能力，以應對功率器件市場需求。資金還將用于增強器件的可靠性，符合市場的多種標準。此外，這筆投資還將支持原型開發，尤其是面向印度本土市場的功率器件和電信領域的射頻器件。
Agnit氮化鎵布局進展及未來規劃
從業務布局方面來看，Agnit最初聚焦于射頻（RF）領域，隨后擴展到功率器件市場。在氮化鎵領域，Agnit采用的是完全自主研發的氮化鎵技術，并不依賴進口技術。
為了支持器件開發，Agnit當前在內部進行芯片封裝，計劃在進入大規模生產后，將封裝工序外包給印度本地成熟的供應鏈。此外，Agnit還在積極探索全球合作伙伴關系，以利用全球的氮化鎵芯片封裝產能。
除了生產氮化鎵器件，Agnit還提供氮化鎵外延片的供應。這項業務起初主要面向學術界，而隨著產能增加，Agnit正計劃將氮化鎵外延片拓展至全球市場，建立與芯片制造商的代工合作關系。
展望未來，Agnit計劃兩年內推出首批功率器件的樣品，供客戶系統集成測試。如果市場順利打開，Agnit預計未來幾年大部分銷售將集中在印度國內，但約30%的產品將出口海外。
氮化鎵相關廠商融資熱
當前，全球氮化鎵產業已進入快速發展階段。根據TrendForce集邦咨詢最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規模約2.71億美元（約19.28億人民幣），至2030年有望上升至43.76億美元（約311.26億人民幣），CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。
氮化鎵產業的火熱發展，帶動廠商合作、項目建設、投融資等熱度持續上漲。在投融資方面，據集邦化合物半導體不完全統計，今年下半年以來，除Agnit外，還有鎵銳芯光、SweGaN、晶通半導體、氮矽科技4家氮化鎵相關廠商完成了新一輪融資。
其中，鎵銳芯光母公司長光華芯正在發力氮化鎵基激光器領域，長光華芯全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創新研究院有限公司與中科院蘇州納米所成立了“氮化鎵激光器聯合實驗室”，拓展氮化鎵材料的藍綠激光方向應用。
據了解，氮化鎵激光器具有直接發光、高效率、高穩定性等優勢，其中，藍光和綠光波段的氮化鎵激光器產品，已經在激光加工（有色金屬加工、激光直寫）、激光顯示（激光大屏電視，XR微投影）、激光照明（車載大燈）、特殊通信等領域有廣泛應用。
今年8月，SweGaN宣布，其生產GaN-on-SiC晶圓的新工廠已開始出貨，產品將用于下一代5G先進網絡高功率射頻應用。據悉，SweGaN新工廠于2023年3月動工建設，可年產4萬片4/6英寸GaN-on-SiC外延片。
作為一家專注于氮化鎵功率器件、氮化鎵集成驅動芯片和氮化鎵肖特基二極管的研發、生產及銷售的初創企業，晶通半導體是國內少數能提供氮化鎵功率器件和驅動芯片共同優化及設計集成方案的功率半導體公司。
目前，氮矽科技致力于研發分離式氮化鎵柵極驅動芯片及增強型氮化鎵晶體管，其驅動及晶體管產品已完成流片、封裝及應用搭建，正在進行客戶導入。
小結
目前，消費電子仍然是功率氮化鎵產業的主戰場，而氮化鎵技術在AI、汽車功率電子、人形機器人等領域的應用正在持續滲透。
TrendForce集邦咨詢認為，功率氮化鎵產業正處于關鍵的突圍時刻，幾大潛力應用同步推動著產業規模加速成長。同時，為了進入更為復雜的大功率、高頻化場景，氮化鎵在可靠性基礎上有望引入新結構、新工藝，為產業發展注入新動能。（文：集邦化合物半導體Zac）
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