最新文章

開發高壓P-GaN HEMT,芯導科技2023年營收3.2億

作者 |發布日期 2024 年 04 月 16 日 18:00 | 分類 企業
4月15日晚間,上海芯導電子科技股份有限公司(以下簡稱芯導科技)發布2023年年度報告。2023年,芯導科技實現營收3.20億元,歸母凈利潤0.96億元,歸母扣非凈利潤0.44億元。 官網資料顯示,芯導科技成立于2009年,專注于模擬集成電路和功率器件的開發及銷售。公司在深耕國...  [詳內文]

北方華創/三安供應商珂瑪科技提交IPO注冊

作者 |發布日期 2024 年 04 月 16 日 17:47 | 分類 產業
4月15日,蘇州珂瑪材料科技股份有限公司(以下簡稱:珂瑪科技)申請深交所創業板IPO的審核狀態變更為“提交注冊”。 招股書顯示,珂瑪科技主營業務為先進陶瓷材料零部件的研發、制造、銷售、服務以及泛半導體設備表面處理服務,主要產品包括先進陶瓷材料零部件等,并為客戶提供精密清洗、陽極...  [詳內文]

12家SiC相關大廠業績PK,誰最賺錢?

作者 |發布日期 2024 年 04 月 16 日 9:41 | 分類 產業
2023年,全球SiC產業延續了火熱勢頭,伴隨著增資擴產、量產出貨、簽約合作等一系列動作,各大廠商紛紛尋求為業績增長添磚加瓦,圍繞SiC產業鏈各個環節,相關企業持續加固護城河,意圖先穩住基本盤,再伺機延伸觸角。 2023年,新能源汽車市場高速增長帶動SiC功率器件加速“上車”,英...  [詳內文]

北方華創、晶盛機電2023年實現業績增長

作者 |發布日期 2024 年 04 月 15 日 18:00 | 分類 企業
近日,北方華創、晶盛機電同時發布了2023年業績,兩家企業2023年營收凈利均雙雙實現增長。 北方華創營收和歸母凈利潤連續三年實現增長 4月12日晚間,北方華創發布2023年度業績快報。2023年,北方華創實現營收220.79億元,同比增長50.32%;歸母凈利潤38.99億元...  [詳內文]

威科賽樂可尋址VCSEL芯片獲首批訂單

作者 |發布日期 2024 年 04 月 15 日 17:46 | 分類 產業
4月12日,先導科技集團官方宣布,其旗下子公司威科賽樂所研發的可尋址VCSEL,在收到客戶定制需求后,成功將完成襯底加工、外延生長,再到芯片工藝及測試交付的總周期控制在1個月之內,最終憑借高效交付能力以及超出預期的性能獲得客戶的充分肯定,現已取得小批量試產訂單。 可尋址VCSE...  [詳內文]

國內碳化硅外延片市場簡析

作者 |發布日期 2024 年 04 月 15 日 9:24 | 分類 功率
隨著電動汽車和新能源需求的持續擴大,碳化硅功率半導體元件在各領域的滲透率呈現持續攀升之勢。對于碳化硅外延片環節,過去市場長期由Resonac、Wolfspeed等國際大廠主導,中國廠商瀚天天成與天域半導體歷經10余年積累,終隨新能源浪潮迎來業務高速增長期,近年來全球市場份額得以迅...  [詳內文]

Q4營收超2022年全年,天岳先進2023年營收大漲199.90%

作者 |發布日期 2024 年 04 月 12 日 18:18 | 分類 碳化硅SiC
4月11日,天岳先進發布2023年年度報告。報告亮點頗多,彰顯著天岳先進乃至整個碳化硅襯底行業的景氣。 單季度營收超過去一整年,下半年凈利潤轉正 年報顯示,天岳先進在2023年共實現營業收入12.51億元,較上年同期增加199.90%;實現歸屬于母公司所有者的凈利潤-4,572....  [詳內文]

臺亞半導體擬分拆8英寸GaN事業群,或將獨立上市

作者 |發布日期 2024 年 04 月 12 日 18:18 | 分類 氮化鎵GaN
自2023年英飛凌收購GaN Systems以來,氮化鎵(GaN)領域的競爭格局便開始發生變化,在近一年多起出售、并購、倒閉案出現之后,市場動蕩的局面達到了一個新的高點,并且目前仍在發酵中。近日,又有一家公司宣布擬調整GaN業務,但值得注意的是,此消息背后隱藏著積極的信號。 臺亞...  [詳內文]

擴產SiC,SK siltron在美獲7700萬美元補貼

作者 |發布日期 2024 年 04 月 12 日 18:00 | 分類 企業
據外媒報道,4月11日,韓國半導體晶圓制造商SK siltron宣布將從美國密歇根州政府獲得7700萬美元(約5.57億人民幣)的補貼,這筆資金包括投資補貼和稅收優惠。 圖片來源:拍信網正版圖庫 報道稱,SK siltron正在擴建其位于美國密歇根州貝城的SiC晶圓工廠,由其美...  [詳內文]

青禾晶元8英寸SiC鍵合襯底技術獲突破

作者 |發布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分類 碳化硅SiC
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通過技術創新,在SiC鍵合襯底的研發上取得重要進展,在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。 8英寸N型SiC復合襯底(source:青禾晶元) 青禾晶元介紹,對比6英寸SiC晶圓,8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍,芯片產出可增加80...  [詳內文]