文章分類: 功率

士蘭微8英寸SiC功率器件芯片制造生產線開工

作者 | 發布日期: 2024 年 06 月 18 日 16:55 | | 分類: 功率
據廈門廣電網消息,6月18日上午,士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產線在海滄區開工。 source:士蘭微 該項目總投資120億元,分兩期建設,兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產72萬片的生產能力。這條生產線投產后將成為國內第一條擁有完全自主知識產權、產能規模最...  [詳內文]

電科材料GaN-on-Si外延片完成交付

作者 | 發布日期: 2024 年 06 月 14 日 17:55 |
| 分類: 功率
第三代半導體氮化鎵(GaN)材料具有禁帶寬度大、電子飽和速度及電子遷移率高、擊穿場強高等特性,在功率與射頻領域有廣闊的應用前景。硅基氮化鎵在具備上述優點的同時兼顧了可低成本、大規模生產的優點,是第三代半導體發展的重要方向。 據中電材料官微消息,近日,電科材料下屬國盛公司研發的硅基...  [詳內文]

從自研芯片到800V,碳化硅上車革命“進行時”

作者 | 發布日期: 2024 年 06 月 11 日 16:49 |
| 分類: 功率
自研芯片、800V SiC高壓平臺……新能源車的半導體革命? 汽車行業的“自研芯片派”正在持續擴大。 5月30日,吉利汽車正式發布了聯合星紀魅族共同打造的“銀河Flyme Auto”智能座艙系統。據悉,銀河Flyme Auto采用的是吉利自研并量產了的7n...  [詳內文]

復旦大學在可見光通信藍光激光mini-LD芯片方面取得突破

作者 | 發布日期: 2024 年 06 月 07 日 9:39 |
| 分類: 功率
近期復旦大學信息科學與工程學院遲楠團隊聯合鵬城實驗室余少華院士與沙特阿卜杜拉國王科技大學Boon Ooi教授,在可見光通信關鍵光源器件研究方面取得了突破性進展,利用極性面氮化鎵(GaN)材料設計研制了一種具有大帶寬的窄脊短腔激光器(mini-LD),將高速光源的帶寬從1GHz左右...  [詳內文]

投資1000億韓元,韓國首座8英寸SiC工廠開建

作者 | 發布日期: 2024 年 06 月 06 日 17:59 |
| 分類: 功率
6月5日,韓國貿易、工業和能源部宣布,韓國本土半導體制造商EYEQ Lab已開始在釜山功率半導體元件和材料特區內建設韓國首座8英寸碳化硅功率半導體工廠,該項目已于5日上午舉行了奠基儀式。 據悉,EYEQ Lab公司成立于2018年5月,原本是一家功率半導體無晶圓廠公司。此番計劃投...  [詳內文]

安徽六安大力推進氮化鎵激光產業基地建設

作者 | 發布日期: 2024 年 06 月 04 日 10:08 |
| 分類: 功率
安徽六安市半導體產業在芯片制造與測試、器件制造、化學材料等領域已陸續開展布局,以格恩半導體為核心的氮化鎵激光產業基地發展勢頭良好。全市現有半導體產業鏈核心企業3家,半導體在建項目10個、總投資71.15億元;產業鏈下游終端應用電子信息企業115家,項目28個、總投資319.28億...  [詳內文]

陜西發布培育千億級第三代半導體產業創新集群行動計劃

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 21 日 17:56 | | 分類: 功率
近日,據省發展改革委消息:《陜西省培育千億級第三代半導體產業創新集群行動計劃》已于日前印發。按照計劃,陜西將重點開展第三代半導體材料工藝技術與核心產品攻關,打通晶體材料高效生長、器件設計制造等產業發展關鍵節點,構建第三代半導體產業鏈、創新鏈、服務鏈協同發展新模式,打造國內領先的千...  [詳內文]

聚焦第三代半導體項目,保定引導基金完成備案

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 15 日 17:50 | | 分類: 功率
近日,保定高新區產業投資引導基金有限公司(簡稱“引導基金”)在中國證券投資基金業協會完成備案,基金總認繳規模20億元人民幣。魯信創投全資子公司山東省高新技術創業投資有限公司作為引導基金管理人,全面負責基金運營等管理工作。 據介紹,引導基金主要圍繞保定市”3+N...  [詳內文]

超1300億!2024年數十個SiC項目有新進展

作者 | 發布日期: 2024 年 05 月 09 日 18:10 |
| 分類: 功率
2024年以來,SiC產業延續了2023年的火熱態勢,企業圍繞技術研發、簽單合作、投融資、IPO、產能建設等方面忙得不亦樂乎,各大廠商頻頻有利好消息傳出。 在投資擴產大旗下,2024年以來已有超30個項目披露了新進展,或簽約、或開工、或封頂、或投產,各個項目都在積極推進當中,不斷...  [詳內文]

碳化硅技術領域2個新進展

作者 | 發布日期: 2024 年 04 月 29 日 14:42 |
| 分類: 功率
近日,就碳化硅單晶制備和碳化硅切割技術方面,有新進展。 浙大聯合實驗室制備出厚度達100 mm碳化硅單晶 4月26日,浙大杭州科創中心官微發文稱,浙江大學杭州國際科創中心(簡稱科創中心)先進半導體研究院-乾晶半導體聯合實驗室(簡稱聯合實驗室)首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化...  [詳內文]