江蘇GaN外延制造中心動工

作者 | 發布日期 2024 年 04 月 19 日 17:59 | 分類 功率

張家港經開區官微消息,4月18日上午,能華半導體張家港制造中心(二期)項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。

公開資料顯示,能華半導體采用IDM全產業鏈模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si),藍寶石基GaN(GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN(GaN-on-SiC) 晶圓與器件的研發、設計、制造與銷售。能華的6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋40V-1200V。

能華半導體張家港制造中心(二期)項目總投資6000萬元,規劃建設生產廠房及配套設施,總建筑面積約10000平方米,采用先進半導體外延、測試等工藝技術,購置MOCVD、XRD衍射儀、AFM原子力顯微鏡等設備,新建GaN外延片產線。項目投產后,將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。該項目將對經開區半導體產業進行橫向擴能和縱向延伸,進一步增強在半導體領域的戰略布局。(集邦化合物半導體整理)

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