設備入場!三安半導體8英寸碳化硅提速

作者 | 發布日期 2024 年 07 月 25 日 15:53 | 分類 功率

據三安半導體官微消息,7月24日,三安半導體舉行芯片二廠M6B設備入場儀式。這標志著三安碳化硅(SiC)項目二期通線在即,將為全面加速8英寸SiC產業布局,實現產線正式投產奠定良好基礎。

source:三安半導體

據介紹,湖南三安SiC項目總投資高達160億人民幣,旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全產業鏈垂直整合量產平臺。項目達產后,將具備年產36萬片6英寸SiC晶圓、48萬片8英寸SiC晶圓的制造能力。

M6B作為湖南三安布局SiC產業的重要一環,其投產情況備受關注。預計到今年12月,M6B將實現點亮通線,8英寸SiC芯片將正式投產,湖南三安半導體正式轉型為8英寸SiC垂直整合制造商。

值得一提的是,除了湖南,重慶三安半導體SiC襯底工廠也于近日完成了主設備的入場,這表示重慶三安襯底工廠的通線一同步入了倒計時階段。

source:西永微電園

據重慶三安基建負責人透露,項目主廠房已于去年12月完成結構封頂,今年5月完成外墻裝飾,6月完成室外道路接駁,目前整體建設進度已完成95%以上,正處于設備進場安裝調試的關鍵階段,預計8月底將實現襯底廠的點亮通線。

資料顯示,重慶三安意法SiC項目總規劃投資約300億元人民幣,項目達產后將建成全國首條8英寸SiC襯底和晶圓制造線,具備年產48萬片8英寸SiC襯底、車規級MOSFET功率芯片的制造能力,預計營收將達170億人民幣。

隨著湖南與重慶兩地工廠的設備搬入完成,后續待兩地正式通線之后,三安半導體不僅將正式轉型為8英寸SiC垂直制造整合商,其SiC產能也有望實現大幅提升,企業市場競爭力將進一步增強。(集邦化合物半導體Rick整理)

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