6月27日,半導體制造商Nexperia(安世半導體)宣布,計劃投資2億美元(約合人民幣14.5億元)開發碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等下一代寬帶隙半導體(WBG),并在德國漢堡工廠建立生產基礎設施。
同時,硅(Si)二極管和晶體管的晶圓廠產能也將增加。這些投資是與漢堡經濟...  [詳內文]
14.5億!安世半導體將新建8英寸SiC和GaN產線 |
作者 huang, Mia|發布日期 2024 年 06 月 28 日 16:37 | 分類 企業 |