第三代半導體功率器件主要以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能。 其中，SiC功率器件應用領域廣泛，新能源汽車已成為其主要應用市場之一。與硅基器件相比，SiC功率器件能更好地滿足高壓快充需求，助力新能源汽車延長續...  [詳內文]