Tag Archives: GaN

長光華芯：公司及全資子公司獲得政府補助1127.40萬元
作者 |發布日期 2024 年 09 月 14 日 18:00 | 分類 企業
9月9日晚間，長光華芯發布關于獲得政府補助的公告（以下簡稱：公告）。 公告顯示，長光華芯及全資子公司截至本公告披露之日，共獲得政府補助款項共計人民幣1127.40萬元，其中與收益相關的政府補助1117.40萬元，與資產相關的政府補助10萬元。 圖片來源：拍信網正版圖庫 長光華芯...  [詳內文]

華為、小米投資，射頻芯片廠商昂瑞微再闖IPO
作者 |發布日期 2024 年 08 月 30 日 17:36 | 分類 射頻
8月28日，射頻、模擬芯片廠家北京昂瑞微電子技術股份有限公司（以下簡稱“昂瑞微”）在北京證監局辦理輔導備案登記，擬公開發行股票并上市，輔導券商為中信建投。據《科創板日報》報道，知情人士透露，昂瑞微大概率想上滬深A，但目前還沒最終確定，該公司現階段的想法是先進入輔導期排隊。 值得注...  [詳內文]

化合物半導體廠商新增2起戰略合作
作者 |發布日期 2024 年 08 月 27 日 18:00 | 分類 企業
近日，碳化硅相關廠商合盛硅業和氮化鎵企業能華半導體分別與合作方簽署了新的戰略合作協議，推進各自在化合物半導體領域產業布局。 source：合盛硅業 合盛硅業與桑達股份簽署戰略合作協議 8月26日，據合盛硅業官微消息，合盛硅業與深圳市桑達實業股份有限公司近日在北京正式簽署戰略合作...  [詳內文]

2024 全球GaN Power Device市場分析報告
作者 |發布日期 2024 年 08 月 14 日 15:55 | 分類 報告
語系：中文/英文 丨 格式：PDF 丨 頁數：約70頁 出刊時間：2024年8月 一、概況 -全球GaN Power Device產業格局 -全球GaN Power Device供應鏈情形 -全球GaN Power Device產業并購動態 -全球主要半導體廠商布局 二、GaN ...  [詳內文]

TrendForce：2030年全球GaN功率元件市場規模有望升至43.76億美元
作者 |發布日期 2024 年 08 月 14 日 15:55 | 分類 數據
根據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，C...  [詳內文]

納微半導體、MACOM、Qorvo公布最新業績
作者 |發布日期 2024 年 08 月 09 日 18:00 | 分類 產業
繼英飛凌和Axcelis之后，納微半導體、MACOM和Qorvo三家第三代半導體相關廠商近日也發布了最新的季度業績，3家企業季度營收均實現同比增長。 納微Q2營收同比增長13%，推出16款GaNFast充電器 8月5日，納微半導體公布了截至2024年6月30日的第二季度未經審計的...  [詳內文]

“國家隊”下場，各國角逐三代半產業
作者 |發布日期 2024 年 08 月 07 日 18:00 | 分類 產業
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料被認為是當今電子電力產業發展的重要推動力，已在新能源汽車、光儲充、智能電網、5G通信、微波射頻、消費電子等領域展現出較高應用價值，并具有較大的遠景發展空間。以碳化硅為例，根據TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power ...  [詳內文]

長電科技與氮化鎵柵極驅動器頭部廠商合作
作者 |發布日期 2024 年 08 月 02 日 18:00 | 分類 企業
長電科技今（2）日宣布，公司與磁性傳感器IC和功率IC領域的制造商Allegro MicroSystems達成戰略合作，雙方將進一步強化供應鏈的穩定性和高效性，更好地服務中國客戶的需求。 長電科技表示，此次合作，雙方將重點建立高精度磁傳感器和電源管理解決方案的本地化封裝和測試能力...  [詳內文]

東漸氮化鎵與海神機器人簽署戰略合作協議
作者 |發布日期 2024 年 08 月 01 日 18:00 | 分類 企業
據東漸第三代半導體官微消息，7月25日，杭州東漸氮化鎵半導體有限公司（以下簡稱東漸氮化鎵）與上海海神機器人科技有限公司（以下簡稱海神機器人）在東漸氮化鎵上?？偛颗e行戰略合作協議簽約儀式。 source：東漸第三代半導體 據介紹，雙方將聯合研發適用于海、陸、空機器人的新一代高性能...  [詳內文]

香港首條超高真空氮化鎵外延片中試線啟動
作者 |發布日期 2024 年 07 月 31 日 18:00 | 分類 產業
7月30日，據香港中通社消息，香港科技園公司與麻省光子技術(香港)有限公司（以下簡稱麻省光子技術）聯合舉行香港首條超高真空第三代半導體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動儀式。 圖片來源：拍信網正版圖庫 儀式上，專注研發氮化鎵外延技術的麻省光子技術宣布，該公司計劃于香港科學園設立...  [詳內文]